屏蔽電感和非屏蔽電感的區別
屏蔽電感磁路結構為閉磁路結構:閉磁路結構是由磁性材料組成,磁阻抗非常小,代表磁芯為環形磁芯,是閉磁路結構。非屏蔽電感磁路結構為開磁路結構:由于磁路組成結構裸露,具有非常明顯的氣隙,其阻抗比較的大,代表磁芯為U型、EE型磁芯。
由于屏蔽電感和非屏蔽電感磁屏蔽結構不同,在相同電感以及工作電流下,屏蔽電感的體積要大于非屏蔽電感。非屏蔽電感具有高飽磁率、小體積、低阻抗的特點。主要集中在插件電感、部分貼片電感GCD系列(快被屏蔽電感取代)、棒形電感。
屏蔽電感具有大功率、低電阻、大電流的特點。主要用在對EMC有著高要求的電路中,涉及到信號傳輸,智能計算等等,例如手機、計算機、高品質音響等等。
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