電荷存儲(chǔ)效應(yīng)產(chǎn)生上述現(xiàn)象的原因是由于二極管外加正向電壓VF時(shí),載流子不斷擴(kuò)散而存儲(chǔ)的結(jié)果。當(dāng)外加正向電壓時(shí)P區(qū)空穴向N區(qū)擴(kuò)散,N區(qū)電子向P區(qū)擴(kuò)散,這樣,不僅使勢(shì)壘區(qū)(耗盡區(qū))變窄,而且使載流子有相當(dāng)數(shù)量的存儲(chǔ),在P區(qū)內(nèi)存儲(chǔ)了電子,而在N區(qū)內(nèi)存儲(chǔ)了空穴 ,它們都是非平衡少數(shù)載流,如下圖所示。
空穴由P區(qū)擴(kuò)散到N區(qū)后,并不是立即與N區(qū)中的電子復(fù)合而消失,而是在一定的路程LP(擴(kuò)散長(zhǎng)度)內(nèi),一方面繼續(xù)擴(kuò)散,一方面與電子復(fù)合消失,這樣就會(huì)在LP范圍內(nèi)存儲(chǔ)一定數(shù)量的空穴,并建立起一定空穴濃度分布,靠近結(jié)邊緣的濃度,離結(jié)越遠(yuǎn),濃度越小 。正向電流越大,存儲(chǔ)的空穴數(shù)目越多,濃度分布的梯度也越大。電子擴(kuò)散到P區(qū)的情況也類似。
我們把正向?qū)〞r(shí),非平衡少數(shù)載流子積累的現(xiàn)象叫做電荷存儲(chǔ)效應(yīng)。
當(dāng)輸入電壓突然由+VF變?yōu)?VR時(shí)P區(qū)存儲(chǔ)的電子和N區(qū)存儲(chǔ)的空穴不會(huì)馬上消失,但它們將通過下列兩個(gè)途徑逐漸減少:
在反向電場(chǎng)作用下,P區(qū)電子被拉回N區(qū),N區(qū)空穴被拉回P區(qū),形成反向漂移電流IR;與多數(shù)載流子復(fù)合。
在這些存儲(chǔ)電荷消失之前,PN結(jié)仍處于正向偏置,即勢(shì)壘區(qū)仍然很窄,PN結(jié)的電阻仍很小,與RL相比可以忽略,所以此時(shí)反向電流IR=(VR+VD)/RL。VD表示PN結(jié)兩端的正向壓降,一般 VR>>VD,即 IR=VR/RL。在這段期間,IR基本上保持不變,主要由VR和RL所決定。經(jīng)過時(shí)間ts后P區(qū)和N區(qū)所存儲(chǔ)的電荷已顯著減小,勢(shì)壘區(qū)逐漸變寬,反向電流IR逐漸減小到正常反向飽和電流的數(shù)值,經(jīng)過時(shí)間tt,二極管轉(zhuǎn)為截止。
由上可知,二極管在開關(guān)轉(zhuǎn)換過程中出現(xiàn)的反向恢復(fù)過程,實(shí)質(zhì)上由于電荷存儲(chǔ)效應(yīng)引起的,反向恢復(fù)時(shí)間就是存儲(chǔ)電荷消失所需要的時(shí)間。
二極管和一般開關(guān)的不同在于,“開”與“關(guān)”由所加電壓的極性決定,而且“開”態(tài)有微小的壓降V f,“關(guān)”態(tài)有微小的電流i0。當(dāng)電壓由正向變?yōu)榉聪驎r(shí),電流并不立刻成為(- i0),而是在一段時(shí)間ts 內(nèi),反向電流始終很大,二極管并不關(guān)斷。
經(jīng)過ts后,反向電流才逐漸變小,再經(jīng)過tf 時(shí)間,二極管的電流才成為(- i0),ts 稱為儲(chǔ)存時(shí)間,tf 稱為下降時(shí)間。tr= ts+ tf 稱為反向恢復(fù)時(shí)間,以上過程稱為反向恢復(fù)過程。這實(shí)際上是由電荷存儲(chǔ)效應(yīng)引起的,反向恢復(fù)時(shí)間就是存儲(chǔ)電荷耗盡所需要的時(shí)間。該過程使二極管不能在快速連續(xù)脈沖下當(dāng)做開關(guān)使用。如果反向脈沖的持續(xù)時(shí)間比tr 短,則二極管在正、反向都可導(dǎo)通,起不到開關(guān)作用。