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去耦電容方法二|降低電容ESL

上一篇與大家分享了去耦電容的—種，現在分享分享第二種方法。
容值相同的情況下使用尺寸較小的電容：對于積層陶瓷電容，有時會準備容值相同但尺寸不同的封裝，尺寸較小的電容基本上引腳部位也較小，一般情況下ESL較小。需要降低更高頻段的噪聲時，選擇尺寸小的電容更好一點
使用降低ESL的電容：

普通電容的電極在短邊側，而LW逆轉型的電極在長邊側。由于L（長度）和W（寬度）相反，故稱“LW逆轉型”。是通過增加電極的寬度來降低ESL的類型。三端電容是為了改善普通電容的頻率特性而優化了結構的電容。這種輸入輸出電極和GND電極間存在電介質，起到電容的作用。由于輸入輸出電極的ESL不包括在接地端，接地的阻抗變得非常低。輸入輸出電極的ESL通過在噪聲路徑直接插入，有利于降低噪聲。通過在長邊側成對配置GND電極，可抑制ESL；再采用并聯的方式，可使ESL減半。基于這樣的結構，三端電容不僅具有非常低的ESL，而且可保持低ESR，改善高頻特性的成效比較大。
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