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MOS管驅動電路的性能決定了電源的效率

隨著手機、筆記本等便攜電子產業的不斷更新，電子元件市場的帶動也變得火熱起來，便攜電子產品離不開電子元件， MOS管就是其中典型的代表，但MOS管在驅動設計上一直都是許多電子工程所頭疼的問題。

MOS管在不考慮 EMI和紋波要求的情況下，可以更快更好地實現快速切換，因為開關損耗在開關電源總損耗中占很大比例，因此它的驅動電路性能直接決定了電源的效率。

對 MOS管來說，如果將兩個 GS之間的電壓從0拉至管子開啟電壓的時間越短，打開的速度就越快。同樣假如GS工作電壓從開啟就降到0V的時間越短，那么關閉速度就越快。由此可知，想在更短的時間內提高或降低GS電壓，需要在MOS管冊極中更大的瞬時驅動電流。

我們在設計mos管驅動電路時也需要注意以下兩點：
1、寄生電感：這個是驅動線路走線時產生的和MOS管的結電會形成LC振蕩電路。如果芯片直接將驅動器的輸出端連接到MOS管柵極，PWM 波的上漲和降低會造成較大的震蕩，導致貼片MOS管急劇發熱甚至爆炸。一般方法是將10歐左右的電阻串聯在柵極上，降低LC右振蕩電路的Q值。

2、因為MOS管柵極高輸入電阻的性能，只需細微的靜電或干擾就會產生偏移，因此建議并聯一個10 K電阻來降低輸入阻抗。若擔心附近電力線的干擾耦合過來，產生瞬間高壓擊穿MOS管，則可在GS之間再并聯約18 V的TVS瞬態抑制二極管， TVS可被認為是一種快速響應的穩定二極管，其瞬間可承受的功率高達數百至數千瓦，可用于吸收瞬間的干擾脈沖。

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