1、輸出特征
　　三極管的輸出特征曲線，它示意Ib隨Ube的變革干系，其特性是：1）當Uce在0-2伏范疇內，曲線和外形與Uce 有關，但當Uce高于2伏后，曲線Uce根本有關平日輸出特征由兩條曲線（Ⅰ和Ⅱ）示意。
　　2）當Ube＜UbeR時，Ib≈O稱（0～UbeR)的區段為“死區”當Ube＞UbeR時，Ib隨Ube增長而增長，縮小時，三極管事情在較直線的區段。
　　3）三極管輸出電阻，界說為:
　　rbe=(△Ube/△Ib)Q點，其預算公式為：
　　rbe=rb+(β+1)(26毫伏/Ie毫伏）
　　rb為三極管的基區電阻，對低頻小功率管，rb約為300歐。
　　2、輸入特征
　　輸入特征示意Ic隨Uce的變革干系（以Ib為參數）特征可見，它分為三個地區：停止區、縮小區和飽和區。
　　停止區 當Ube＜0時，則Ib≈0，發射區沒有電子注入基區，但因為分子的熱活動，集電集仍有小量電流暢過，即Ic=Iceo稱為穿透電流，常溫時Iceo約為幾微安，鍺管約為幾十微安至幾百微安，它與集電極反向電流Icbo的干系是：
　　Icbo=(1+β)Icbo
　　常溫時硅管的Icbo小于1微安，鍺管的Icbo約為10微安，關于鍺管，溫度每降低12℃，Icbo數值增長一倍，而關于硅管溫度每降低8℃，Icbo數值增大一倍，固然硅管的Icbo隨溫度變革猛烈，但因為鍺管的Icbo值自身比硅管大，以是鍺管依然受溫度影響較緊張的管，縮小區，當晶體三極管發射結處于正偏而集電結于反偏事情時，Ic隨Ib類似作線性變革，縮小區是三極管事情在縮小形態的地區。
　　飽和區 當發射結和集電結均處于正偏形態時，Ic根本上不隨Ib而變革，得到了縮小功用。依據三極管發射結和集電結偏置狀況，大概鑒別其事情形態。
　　三極管的輸出特征與輸入特征
　　停止區和飽和區是三極管事情在開關形態的地區，三極管和導通時，事情點落在飽和區，三極管停止時，事情點落在停止區。