SiC基片的厚度以350μm為主流，薄產(chǎn)品也要達(dá)到230μm左右。為了進(jìn)一步減薄厚度，許多大型SiC功率元件廠商都在致力于相關(guān)研發(fā)。比如，羅姆通過研磨等工序?qū)iC基片減薄至50μm，并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢壘二極管。在SiC相關(guān)學(xué)會“ICSCRM2013”上，該公司比較了該試制SBD與原來利用230μm厚的基片制造的相同耐壓的SBD的導(dǎo)通電阻值。50μm產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻為0.22mΩcm2，減小到了230μm產(chǎn)品的0.48mΩcm2的一半以下。
　　三菱電機也利用90μm厚的SiC基片試制了耐壓1.2kV的SiCSBD。該公司在ICSCRM2013發(fā)表了相關(guān)成果，雖未公布具體的導(dǎo)通電阻值，但與使用約300μm厚的基片制造的相同耐壓的SBD相比，導(dǎo)通電阻減小了0.4mΩcm2。另外，英飛凌也在致力于利用薄型SiC基片的SiC二極管的研發(fā)。該公司在2013年5月舉行的功率半導(dǎo)體學(xué)會“ISPSD2013”(日本電氣學(xué)會主辦)上發(fā)表了將基片減薄至110μm的耐壓650V的SiC二極管。