從哪幾個方面可以測評貼片電容功能
測評貼片電容功能，從三個方面進行！
先是貼片電容的四個慣例電功能，即容量Cap. 損耗DF，絕緣電阻IR和耐電壓DBV，通常的，X7R貼片電容的損耗值DF<=2.5%，越小越好，IR*Cap>500歐*法，BDV>2.5Ur.
其次是貼片電容的加快壽數(shù)功能，在125deg.c環(huán)境溫度和2.5Ur直流負(fù)載條件下，芯片應(yīng)本領(lǐng)100小時不擊穿，質(zhì)量好的可耐1000小時不擊穿。
再次是貼片電容的耐熱沖擊功能，將貼片電容浸入300deg.c錫爐10秒，多做幾粒，顯微鏡下調(diào)查能否有外表裂紋，然后可測驗容量損耗并與熱沖擊前比照分辨芯片能否內(nèi)部裂紋。
貼片電容在電路上出現(xiàn)問題，有可能是貼片電容自身質(zhì)量不良，亦有可能是設(shè)計時選擇標(biāo)準(zhǔn)欠佳或是在外表貼裝機械力熱沖擊等對貼片電容形成損傷等要素形成。
